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KLA光學輪廓儀在超薄膜厚度測量中的關鍵應用

2025-09-19 [50]
  KLA光學輪廓儀在鈣鈦礦電池到半導體制造的超薄膜厚度測量中,憑借其高精度、非接觸式測量和多功能性,成為關鍵工具,具體應用如下:
 
  一、鈣鈦礦太陽能電池中的超薄膜厚度測量
 
  TCO層測量:
 
  重要性:TCO層是鈣鈦礦太陽能電池的重要組成部分,必須在導電性能良好的情況下具有很高的透光率、低電阻和高熱穩定性。
 
  測量實例:使用KLA光學輪廓儀,可以精確測量玻璃上IZO薄膜的厚度,如6.8nm和37.1nm的樣品。
 
  ETL層測量:
 
  重要性:ETL層在鈣鈦礦太陽能電池中具有收集電子、傳輸電子并阻隔空穴以降低電子空穴復合率等關鍵作用。其平整度和平滑度直接影響鈣鈦礦層的質量。
 
  測量實例:KLA光學輪廓儀能夠測量玻璃上SnO2薄膜的厚度,如10.2nm、14.3nm和19.6nm的樣品,為監控ETL層的厚度及均勻性提供有效手段。
 
  金屬電極層測量:
 
  重要性:金屬電極層是鈣鈦礦太陽能電池的頂層,其工藝厚度及均勻性的控制對于降低成本和提高電池性能至關重要。
 
  測量實例:使用KLA光學輪廓儀,可以測量玻璃上金屬鋁薄膜的厚度,如15.0nm、28.0nm、49.8nm和71.1nm的樣品。
 
  二、半導體制造中的超薄膜厚度測量
 
  高精度與重復性:
 
  KLA的光學輪廓儀,如Zeta-20,采用ZDot™技術,通過點陣共聚焦方式實現3D形貌+真彩色掃描,Z軸分辨率達到亞納米級。這種高精度和重復性能夠滿足半導體行業對膜厚測量的嚴格要求。
 
  非接觸式測量:
 
  KLA的光學輪廓儀采用非接觸式測量方式,避免了接觸式測量可能帶來的損傷和誤差。這對于半導體制造中脆弱的薄膜結構尤為重要。
 
  多功能性:
 
  KLA的光學輪廓儀不僅具備膜厚測量功能,還能測量折射率、反射率、透射率等參數,滿足多樣化的測量需求。例如,Zeta-20光學輪廓儀支持從納米級至毫米級臺階測量,并可繪制樣品上的薄膜厚度分布圖,以確定樣品的均勻性。
 
  易于操作與維護:
 
  KLA的光學輪廓儀通常具有友好的用戶界面和自動化測量功能,易于操作和維護。這有助于降低操作難度,提高測量效率。